3月25日，记者从西安交通大学获悉：该校电信学部副教授李强团队研制出氮化硼深紫外光电芯片，经教育部科技查新工作站查新，为全球首款。该芯片的成功研发，对深紫外固态光源应用于杀菌消毒、紫外固化、紫外光通信等领域有重要意义。这一研究成果已在国际权威期刊《先进科学》上发表。

氮化硼是一种超宽禁带半导体材料。基于氮化硼材料的深紫外发光器件，由于材料掺杂困难，难以形成有效发光复合结构。这一直是全球重大的科学和技术难题。在此之前，全球还未有直接外延生长氮化硼的同质结深紫外发光芯片。

经过3年多的科研攻关，李强团队在1400摄氏度的超高温环境下，破解了材料掺杂难题。科研人员以物理加化学的方式在薄膜内掺杂其他元素，形成有效的带电载流子，制备出完全具备自主知识产权的同质结深紫外发光芯片。其核心技术已申请国家发明专利。

该款光电芯片还实现了发射波长在300纳米以下的深紫外光。太阳光中波长小于300纳米的光在穿过地球大气层时，会受到大气臭氧层的吸收，几乎无法抵达地球表面。过去的研究中，国内外科研人员都是基于氮化镓和氮化铝材料体系实现深紫外的发光芯片。

李强表示：“我们研发的氮化硼深紫外光电芯片，已验证可发射261纳米至300纳米波长的紫外光。这是全球首次利用掺杂后的氮化硼作为深紫外发光器件的主体材料，为深紫外光电器件提供了一种全新的材料体系，也为后续半导体型更短波段深紫外发光器件的研制提供了新的方向。”（记者 郭诗梦）

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