复旦大学研发新型存储技术 速度比U盘快万倍

2018年04月16日09:00  来源:广州日报
 
原标题:复旦大学研发新型存储技术 速度比U盘快万倍

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据悉,近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。日前,相关成果以长文形式在线发表于《自然·纳米技术》。

目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机的内存,可在几纳秒左右写入数据,但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如U盘,需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来,但在写入数据后无需额外能量可保存10年。

新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性:写入速度比目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。它既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒~10年)的可调控数据准非易失特性;既可在高速内存中极大降低存储功耗,还可实现数据有效期截止后自然消失。(文静)

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