8月23日，在第七屆光電子集成芯片立強大會上，陝西光電子先導院科技有限公司首次對外公開西北首條8英寸硅光中試平台量產級核心工藝數據，同步發布LPSIN400低損耗氮化硅工藝平台及配套工藝設計套件，面向全產業鏈開放流片服務，並公布部分SOI無源工藝平台核心實測數據。

“此次公開量產級核心工藝數據，是8英寸硅光中試平台2025年穩定運營以來，首次系統性向行業共享成熟工藝參數。”陝西光電子先導院科技有限公司副總經理付鵬說，此舉補齊了陝西硅光集成領域中試產業化關鍵短板，為人工智能算力、高速光互連、光計算等前沿場景國產光電子芯片研發降本增效。

陝西光電子先導院科技有限公司由中國科學院西安光機所聯合陝西省科技廳、西安高新區管委會於2015年發起組建，建成集工藝研發、中試流片、中試驗証、產學研協同於一體的完整光子產業中試服務體系。2025年，該公司入選工信部首批國家級制造業中試平台，是國內首家聚焦光子集成領域的國家級中試載體。

2021年，陝西在國內率先發布“追光計劃”。經過5年發展，陝西光子企業總數由2021年的191家增長到2025年的409家，增長114%﹔總產值由2021年的150億元提升到2025年的410億元，增長173%。

2023年，陝西光電子先導院科技有限公司建設的6英寸化合物光電芯片產線順利通線，目前累計服務客戶80余家﹔2025年穩定投運的8英寸硅光產線，可全面支撐高速光模塊收發芯片的技術迭代、樣品驗証與小批量量產。

會上，陝西光電子先導院科技有限公司工藝整合研發團隊公開多項關鍵量產工藝指標。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器實現C+L波段全覆蓋，器件插入損耗、信號不平衡度均控制在高標准區間﹔SOI無源工藝平台關鍵技術指標同步對外開放，為國內硅光設計企業提供標准化、可落地的工藝參考依據。

業內參會企業技術負責人表示，波導損耗、MMI插損等核心參數直接決定光芯片良率與產品性能，平台公開量產級實測數據，充分印証了工藝體系的穩定性與成熟度。據測算，依托陝西光電子先導院科技有限公司8英寸硅光中試平台，企業研發迭代周期可壓縮到2至3個月，綜合研發成本降至海外的三分之一以內，有效破解了國內硅光企業“建不起產線、驗証難、產能受限、市場風險高”的痛點。

陝西光電子先導院科技有限公司硅光工藝集成部工藝整合研發工程師李雪童說，同步亮相的LPSIN400低損耗氮化硅工藝平台及配套工藝設計套件即日起對外提供流片服務，精准適配高速光模塊及智算中心高速光互連產業需求，加速前沿光電子產品落地應用。（記者 蘇怡）